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行业动态

重磅!长鑫存储发布DRAM !

     今天,长鑫存储官方正式上线DRAM产品,包括8Gb DDR4芯片、8GB DDR4内存条、2GB/4GB LPDDR4X产品,均符合国际通行标准规范,相较于上一代DDR3芯片,拥有更快的数据传输速率,更稳定的性能和更低的功耗,将广泛用于目前主流市场,包括电脑、台式PC、手机、平板、电视、人工智能等消费类电子产品。      长鑫存储提供单颗容量8Gb(1GB),频率2666MHz,电压1.2V,工作温度0℃至95℃,78ball、96ball FBGA两种封装样式。长鑫特别这是第一颗国产的DDR4内存芯片。DDR4内存条是长鑫自主开发设计,搭载原厂颗粒,种类齐全,提供UDIMM桌面型、SO-DIMM笔记本型,容量均为单条8GB,频率2666MHz,电压1.2V,工作温度0℃至95℃
       LPDDR4X内存芯片号称匹配主流需求,兼备高速度与低功耗,可提供超高续航能力、超低功耗设计、稳定流畅体验,规格方面单颗容量2GB、4GB,频率3733MHz,电压1.8V、1.1V、0.6V,工作温度-30℃至85℃,200ball FBGA封装。

    长鑫存储从Polaris获得大量DRAM技术专利的实施许可,这些专利来自Polaris 2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。

   长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动,总投资1500亿元,专业从事DRAM内存的研发、生产和销售,目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产,并通过专用研发线快速迭代研发,结合当前先进设备大幅度改进工艺,开发出了独有的技术体系。


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